Kako bi ispunili zahtjeve obrade vještačke inteligencije na uređaju, Samsung Galaxy telefoni sljedeće generacije dobijaju bržu memoriju, narednim UFS skladištem.
Samsung Semiconductor planira da unaprijedi brzinu memorije u svojim budućim Galaxy uređajima. Tako će Samsung Galaxy telefoni sljedeće generacije dobiti unaprijeđeno UFS (Universal Flash Storage) memorijsko šenje, otkriva javno predstavljeni plan kompanije.
Prije nekoliko godina, Samsung je predstavio UFS 4.0 trajnu memoriju za mobilne uređaje. Ova tehnologija je već korištena u Galaxy S23 i seriji preklopnih telefona iz 2023. godine, kao i u najnovijoj Galaxy S24 liniji. Međutim, sada se kompanija sprema za sljedeći korak.
Prema planu objavljenom na društvenoj mreži “Weixin#, Samsung Semiconductor namjerava da lansira UFS 4.0 4-lane CS sljedeće godine, prije prelaska na UFS 5.0 2027. godine. UFS 4.0 4-lane će očigledno predstavljati međukorak, a prema tvrdnjama kompanije, treba da poboljša brzinu sa oko 4 GB/s na 8 GB/s, dok bi UFS 5.0 mogao da dostigne brzinu preko 10 GB/s.
Samsung planira da započne masovnu proizvodnju UFS 4.0 4-lane rješenja prije 2025. godine, kombinujući dva UFS kontrolera za povećanje brzine sekvencijalnog čitanja. Ove inovacije u UFS tehnologiji poboljšaće vrijeme učitavanja i aplikacije za AI obradu na uređaju.
Iako Samsung nije otkrio koje će Samsung Galaxy telefoni i uređaji uopšte prvi koristiti UFS 4.0 4-lane, moguće je da će to biti Galaxy S25 serija, dok bi UFS 5.0 mogao da se pojavi uz Galaxy S27 liniju telefona nekoliko godina kasnije. Samsung već planira više AI funkcija za svoje naredne uređaje, a neke AI alatke možda će biti ponuđene kroz plaćeni model.
S obzirom na ovaj plan UFS skladišta, vjerovatno je da će predstojeći Galaxy Z Fold6 i Z Flip6 ipak koristiti isto UFS 4.0 rješenje kao i Galaxy S24 linija, pošto UFS 4.0 4-lane vjerovatno neće biti spreman za masovnu proizvodnju do perioda kada Z6 savitljivi telefoni budu zvanično predstavljeni ovog ljeta, prenosi “BenchMark”.
Foto: PrintScreen/Twitter
Izvor: Nezavisne
